г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR3910TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR3910TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
200 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR3910TRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
640 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFR3910PBFTR,SP001560674,IRFR3910PBFCT,IRFR3910PBFDKR,*IRFR3910TRPBF,2156-IRFR3910TRPBFINF
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFR3910
Power Dissipation (Max)
79W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R190P6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BSC100N06LS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON, N-Channel 60 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: BSM50GX120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-2, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IMBF170R450M1XTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7, N-Channel 1700 V 9.8A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-13
Подробнее
Артикул: BSC028N06LS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON, N-Channel 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRFR1205PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK, N-Channel 55 V 44A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее