г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR540ZTRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR540ZTRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK, N-Channel 100 V 35A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
203 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR540ZTRLPBF.jpg
Other Names
448-IRFR540ZTRLPBFTR,SP001567620,448-IRFR540ZTRLPBFCT,448-IRFR540ZTRLPBFDKR,IRFR540ZTRLPBF-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
91W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1690 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFR540
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
3,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BUZ30A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BAR6403WE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH, RF Diode PIN - Single 150V 100 mA 250 mW PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: SKP04N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 9.4 A 50 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRFB3006PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7455TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO, N-Channel 30 V 15A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCR141WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее