г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR5410TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR5410TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK, P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
281 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR5410TRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
205mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
760 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001557100,IRFR5410PBFTR,IRFR5410TRPBF-ND,*IRFR5410TRPBF,IRFR5410PBFCT,IRFR5410PBFDKR,IRFR5410TRPBFTR-ND
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFR5410
Power Dissipation (Max)
66W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FS100R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 140A 480W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 140 A 480 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SKP04N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL, IGBT NPT 600 V 9.4 A 50 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRAM136-3063B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC HYBRID PWR 30A 600V RES SIP3, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 30 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRFH5304TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN, N-Channel 30 V 22A (Ta), 79A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: BAR9002ELSE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2, RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSSLP-2-3
Подробнее
Артикул: IRG7PH46UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 390W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 40 A 390 W Through Hole TO-247AC
Подробнее