г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP4066-EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP4066-EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 140A 454W TO247AD, IGBT Trench 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGP4066-EPBF.jpg
IGBT Type
Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
140 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Power - Max
454 W
Switching Energy
2.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
150 nC
Td (on/off) @ 25°C
50ns/200ns
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001540800
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Test Condition
400V, 75A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFI4321PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP, N-Channel 150 V 34A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRF7451PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO, N-Channel 150 V 3.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFB7540PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 110A TO220, N-Channel 60 V 110A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BC858BW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IPI50R140CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3, N-Channel 550 V 23A (Tc) 192W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IPP60R125CPXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3, N-Channel 650 V 25A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее