г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR6215PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR6215PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK, P-Channel 150 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
262 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR6215PBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
295mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
860 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
*IRFR6215PBF,SP001576010
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IGCM04F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 4A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 4 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRFR3709Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK, N-Channel 30 V 86A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSC070N10NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TDSON, N-Channel 100 V 80A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRL3803PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB, N-Channel 30 V 140A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAT5405E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRG7PH50U-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole PG-TO247AD
Подробнее