г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS3307ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS3307ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
503 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS3307ZPBF.jpg
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 50 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001576230,64-4163PBF,64-4163PBF-ND
Standard Package
1,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKY75N120CH3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 150A TO247-4, IGBT - 1200 V 150 A 938 W Through Hole PG-TO247-4
Подробнее
Артикул: IRF7663
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8, P-Channel 20 V 8.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IPD048N06L3GBTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3, N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRAM256-2067A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HY 600V 20A 29PWRSSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: AUIRFS3107
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK, N-Channel 75 V 195A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRLR8743PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK, N-Channel 30 V 160A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее