г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BCR141W Infineon Technologies

Артикул
BCR141W
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с предварительной изоляцией
Image
files/BCR141W.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
3,000
Other Names
INFINFBCR141W,2156-BCR141W
HTSUS
8541.21.0075
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP029N06NAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3, N-Channel 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPB26CN10N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPW60R017C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH POWER_NEW, N-Channel 600 V 109A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRF6641TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET, N-Channel 200 V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: BCW67C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BDP953H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 100V 3A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4-10
Подробнее