г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS3307ZTRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS3307ZTRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK, N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
555 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS3307ZTRLPBF.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4750 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFS3307ZTRLPBFDKR,SP001565042,IRFS3307ZTRLPBFCT,IRFS3307ZTRLPBFTR
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFS3307
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC0902NSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON, N-Channel 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 35A 200W, IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 35 A 200 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRGB30B60K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPP076N15N5AKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3, N-Channel 150 V 112A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BAT68E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - Single 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPN70R1K5CE
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 700 V 5.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее