г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS4127PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS4127PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK, N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
615 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS4127PBF.jpg
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5380 pF @ 50 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
64-2140PBF-ND,64-2140PBF,SP001550144
Standard Package
1,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BFN27E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFN27 - PNP SILICON HIGH-VOLTAGE, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFS4010PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG8P60N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC, IGBT - 1200 V 100 A 420 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPA65R600C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BFR380FH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3, RF Transistor NPN 9V 80mA 14GHz 380mW Surface Mount PG-TSFP-3
Подробнее
Артикул: IRF7401TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO, N-Channel 20 V 8.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее