г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS4127TRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK, N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
615 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS4127TRLPBF.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5380 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001557360,IRFS4127TRLPBFDKR,IRFS4127TRLPBFTR,IRFS4127TRLPBFCT
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFS4127
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC120N03MSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON, N-Channel 30 V 11A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF100B201
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB, N-Channel 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7466
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCX70K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 45V 200MA SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 200 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: BSC022N04LS6ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее