г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS4410TRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS4410TRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK, N-Channel 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Цена
679 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS4410TRLPBF.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
PG-TO263-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5150 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
88A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFS4410TRLPBFDKR,SP001571724,IRFS4410TRLPBFCT,IRFS4410TRLPBF-ND,2156-IRFS4410TRLPBF-448,IRFS4410TRLPBFTR
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFS4410
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW30N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 187W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRGSL4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO262, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IPP100N06S2L05AKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3, N-Channel 55 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7821PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, N-Channel 30 V 13.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: AUIRF7309Q
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IPB010N06NATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7, N-Channel 60 V 45A (Ta), 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Подробнее