г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFTS9342TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFTS9342TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP, P-Channel 30 V 5.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Цена
100 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFTS9342TRPBF.jpg
Package / Case
SOT-23-6
Supplier Device Package
6-TSOP
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
595 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFTS9342TRPBFDKR,IRFTS9342TRPBFCT,IRFTS9342TRPBFTR,SP001571652
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFTS9342
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF150R12ME3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 200A 695W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount AG-ECONOD-3
Подробнее
Артикул: DDB6U30N08VRBOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 600V 26A 83.5W, IGBT Module - Three Phase Inverter with Brake 600 V 26 A 83.5 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BAR6405WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100 mA 250 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: FF225R12ME4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 320A 1050W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 320 A 1050 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLL2705TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223, N-Channel 55 V 3.8A (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRFB3077PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB, N-Channel 75 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее