г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFU4510PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFU4510PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 56A IPAK, N-Channel 100 V 56A (Tc) 143W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Цена
327 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFU4510PBF.jpg
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.9mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3031 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001557766
Standard Package
75
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFU4510
Power Dissipation (Max)
143W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFH5025TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN, N-Channel 250 V 3.8A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IPP65R190C7FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3, N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRAM136-1061A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOSFET DRIVER, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 12 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRG4BC20F
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 16A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IMW120R060M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3, N-Channel 1200 V 36A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: BSC039N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON, N-Channel 60 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее