г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFU4510PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFU4510PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 56A IPAK, N-Channel 100 V 56A (Tc) 143W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Цена
327 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFU4510PBF.jpg
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.9mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3031 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001557766
Standard Package
75
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFU4510
Power Dissipation (Max)
143W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA60R280P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 12A TO220, N-Channel 600 V 12A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRFR4105TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 27A DPAK, N-Channel 55 V 27A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: DF200R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 1040W, IGBT Module - Single 1200 V 1040 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRG4BC30U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFI1010NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP, N-Channel 55 V 49A (Tc) 58W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: BCR166W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее