г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFU5305 Infineon Technologies

Артикул
IRFU5305
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 55V 31A IPAK, P-Channel 55 V 31A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Цена
76 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFU5305.jpg
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRFU5305
Standard Package
75
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGPS66160DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 160A TO247, IGBT - 600 V 240 A 750 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRFIZ48N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 36A TO220AB FP, N-Channel 55 V 36A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: SPP11N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRF6645
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET, N-Channel 100 V 5.7A (Ta), 25A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SJ
Подробнее
Артикул: IKW40N120CS7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INDUSTRY 14 PG-TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 82 A 357 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF7389TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее