г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFU9024NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFU9024NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 55V 11A IPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Цена
184 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFU9024NPBF.jpg
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001557756,*IRFU9024NPBF
Standard Package
75
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRFU9024
Power Dissipation (Max)
38W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF1010NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK, N-Channel 55 V 85A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFB61N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB, N-Channel 150 V 60A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAR66E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - 1 Pair Series Connection 150V 200 mA 250 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFU3910PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRFB42N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB, N-Channel 200 V 44A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRAM136-1061A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOSFET DRIVER, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 12 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее