г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFZ34NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFZ34NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB, N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
171 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFZ34NPBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IFEINFIRFZ34NPBF,2156-IRFZ34NPBF,*IRFZ34NPBF,SP001568128
Standard Package
100
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFZ34
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7507TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 1.7A MICRO8, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.4A, 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IRFB52N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB, N-Channel 150 V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGBC30UD2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKW50N60H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 100 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BCR166W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IPA60R600P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6A TO220, N-Channel 600 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее