г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC10SD Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC10SD
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 14A 38W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 38 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC10SD.jpg
Test Condition
480V, 8A, 100Ohm, 15V
Power - Max
38 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 8A
Switching Energy
310µJ (on), 3.28mJ (off)
Gate Charge
15 nC
Td (on/off) @ 25°C
76ns/815ns
Other Names
*IRG4BC10SD
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
50
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PH40UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPP80N06S209
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: AUIRF3805
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 160A TO220, N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRF7321D2TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO, P-Channel 30 V 4.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPD60R600P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPP030N10N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3, N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее