г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC20UDSTRRP Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC20UDSTRRP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 13A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 13 A 60 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC20UDSTRRP.jpg
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 6.5A
Power - Max
60 W
Switching Energy
160µJ (on), 130µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
27 nC
Td (on/off) @ 25°C
39ns/93ns
Test Condition
480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
IGBT Type
-
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001535602
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRLR3705Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRG4BC15UD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 49W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 49 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC120N03LSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее
Артикул: BCR141WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRF9335PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO, P-Channel 30 V 5.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее