г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30F Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC30F
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 31A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC30F.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 17A
Power - Max
100 W
Switching Energy
230µJ (on), 1.18mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
51 nC
Td (on/off) @ 25°C
21ns/200ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4BC30F
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Test Condition
480V, 17A, 23Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGIB15B60KD1P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 19A 52W TO220FP, IGBT NPT 600 V 19 A 52 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: BCR505E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFR2607Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK, N-Channel 75 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSC350N20NSFDATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1, N-Channel 200 V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRLML6402GTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23, P-Channel 20 V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: BFS17WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT323-3, RF Transistor NPN 15V 25mA 1.4GHz 280mW Surface Mount SOT-323
Подробнее