г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA50R380CE Infineon Technologies

Артикул
IPA50R380CE
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-FP, N-Channel 500 V 9.9A (Tc) 29.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Цена
238 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPA50R380CE.jpg
Power Dissipation (Max)
29.2W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
584 pF @ 100 V
FET Feature
Super Junction
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Other Names
IPA50R380CEXKSA1,SP000848216
Mounting Type
Through Hole
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
50
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR108E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFZ44E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRLR3714
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 36A DPAK, N-Channel 20 V 36A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BCW65C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BSC026N02KSG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSC026N02 - 12V-300V N-CHANNEL P,
Подробнее
Артикул: IPW60R099CP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1, N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее