г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30FD-S Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC30FD-S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 31A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 31 A 100 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC30FD-S.jpg
Test Condition
480V, 17A, 23Ohm, 15V
Power - Max
100 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 17A
Switching Energy
630µJ (on), 1.39mJ (off)
Gate Charge
51 nC
Td (on/off) @ 25°C
42ns/230ns
Other Names
*IRG4BC30FD-S
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
50
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP4468PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC, N-Channel 100 V 195A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR142E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: BSC117N08NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON, N-Channel 80 V 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: BCR166W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IKD15N60RFATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 30 A 250 W Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPP034NE7N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3, N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее