г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30FD-S Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC30FD-S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 31A 100W D2PAK, IGBT - 600 V 31 A 100 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4BC30FD-S.jpg
Test Condition
480V, 17A, 23Ohm, 15V
Power - Max
100 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 17A
Switching Energy
630µJ (on), 1.39mJ (off)
Gate Charge
51 nC
Td (on/off) @ 25°C
42ns/230ns
Other Names
*IRG4BC30FD-S
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
50
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR119S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: FF6MR12KM1BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее
Артикул: MMBTA42LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR NPN 300V 0.5A, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: SPP11N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER_LEGACY, N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7301PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5.2A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFR7446PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 56A TO252, N-Channel 40 V 56A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее