г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PC50UD-EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PC50UD-EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IRG4PC50 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Цена
858 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PC50UD-EPBF.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-IRG4PC50UD-EPBF-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC40KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 42A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 42 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSC022N04LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6, N-Channel 40 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRFB52N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB, N-Channel 150 V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD40DP06NMATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3, P-Channel 60 V 4.3A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Подробнее
Артикул: IPI023NE7N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3, N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: IPP052NE7N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3, N-Channel 75 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее

Ваша заявка принята