г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH30KD Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH30KD
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PH30KD.jpg
Test Condition
800V, 10A, 23Ohm, 15V
Power - Max
100 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.2V @ 15V, 10A
Switching Energy
950µJ (on), 1.15mJ (off)
Gate Charge
53 nC
Td (on/off) @ 25°C
39ns/220ns
Other Names
*IRG4PH30KD
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
25
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCW61C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER EASY, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRF5803TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6, P-Channel 40 V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IKW20N60TFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 166 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFZ46NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK, N-Channel 55 V 53A (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BAV99SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363, Diode Array 2 Pair Series Connection Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Подробнее