г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH40UD-EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH40UD-EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 41A 160W TO247-3, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Цена
593 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PH40UD-EPBF.jpg
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
82 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.1V @ 15V, 21A
Power - Max
160 W
Switching Energy
1.8mJ (on), 1.93mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
86 nC
Td (on/off) @ 25°C
46ns/97ns
Test Condition
800V, 21A, 10Ohm, 15V
IGBT Type
-
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4PH40UD-EPBF,SP001537194,IRG4PH40UDEPBF
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr)
63 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR024NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRLML2244TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23, P-Channel 20 V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: SPW16N50C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 560V 16A TO247-3, N-Channel 560 V 16A (Tc) 160W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: SPP11N80C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IDW30G65C5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 30A (DC) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BSD223PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6-1
Подробнее