г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH40UD-EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH40UD-EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 41A 160W TO247-3, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Цена
593 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PH40UD-EPBF.jpg
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
82 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.1V @ 15V, 21A
Power - Max
160 W
Switching Energy
1.8mJ (on), 1.93mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
86 nC
Td (on/off) @ 25°C
46ns/97ns
Test Condition
800V, 21A, 10Ohm, 15V
IGBT Type
-
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4PH40UD-EPBF,SP001537194,IRG4PH40UDEPBF
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr)
63 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPW11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRGB30B60K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AUIRF1405ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK, N-Channel 55 V 150A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFHS8342TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON, N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount PG-TSDSON-6
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRF7201
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO, N-Channel 30 V 7.3A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее