г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PSC71UDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PSC71UDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PSC71UDPBF.jpg
Test Condition
480V, 60A, 5Ohm, 15V
Power - Max
350 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 60A
Switching Energy
3.26mJ (on), 2.27mJ (off)
Gate Charge
340 nC
Td (on/off) @ 25°C
90ns/245ns
Other Names
SP001545818,*IRG4PSC71UDPBF
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
25
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-274AA
Supplier Device Package
SUPER-247™ (TO-274AA)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Reverse Recovery Time (trr)
82 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR148WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 100 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRF7413A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO, N-Channel 30 V 12A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IKCM10H60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 10A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRGP6660DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 95A 330W TO247AC, IGBT - 600 V 95 A 330 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFS7537PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 60V 173A D2PAK, N-Channel 60 V 173A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IDD06E60BUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252, Diode Standard 600 V 14.7A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее