г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PSC71UPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PSC71UPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 85A 350W SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4PSC71UPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 60A
Power - Max
350 W
Switching Energy
420µJ (on), 1.99mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
340 nC
Td (on/off) @ 25°C
34ns/56ns
Supplier Device Package
SUPER-247™ (TO-274AA)
Package / Case
TO-274AA
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRG4PSC71UPBF,SP001540512
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Test Condition
480V, 60A, 5Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPB123N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IPW60R090CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3, N-Channel 600 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BUZ80A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB, N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25N120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: SI3443DV
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6, P-Channel 20 V 4.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IPA60R080P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37A TO220, N-Channel 600 V 37A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее