г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4RC10SD Infineon Technologies

Артикул
IRG4RC10SD
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 14A 38W DPAK, IGBT - 600 V 14 A 38 W Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4RC10SD.jpg
Test Condition
480V, 8A, 100Ohm, 15V
Power - Max
38 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 8A
Switching Energy
310µJ (on), 3.28mJ (off)
Gate Charge
15 nC
Td (on/off) @ 25°C
76ns/815ns
Other Names
*IRG4RC10SD
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
75
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IMW120R030M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3, N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRFB4310PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCW60C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: SPP18P06PHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3, P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BSC074N15NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3, N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TSON-8-3
Подробнее
Артикул: IRG4PH50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее