г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4RC20FPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4RC20FPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 22A 66W DPAK, IGBT - 600 V 22 A 66 W Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG4RC20FPBF.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
22 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
44 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Power - Max
66 W
Switching Energy
190µJ (on), 920µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
27 nC
Td (on/off) @ 25°C
26ns/194ns
Supplier Device Package
D-Pak
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001544756
Standard Package
75
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRG4RC20FPBF
Test Condition
480V, 12A, 50Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT68E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - Single 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRL1004PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB, N-Channel 40 V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFP3703PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC, N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SDT06S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 6A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: BCR112E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 140 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: AUIRF1405
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее