г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SPD15N06S2L-64 Infineon Technologies

Артикул
SPD15N06S2L-64
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3, N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/SPD15N06S2L-64.jpg
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
64mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 14µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
445 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP000013573,SPD15N06S2L64T
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
47W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC40UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF9389PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO, Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.8A, 4.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSC035N10NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON, N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: IRF3710L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 57A TO262, N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRL3502
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB, N-Channel 20 V 110A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FS35R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module - Full Bridge Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее