г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH42U-EP Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH42U-EP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 90A 385W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 90 A 385 W Through Hole TO-247AD
Цена
653 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG7PH42U-EP.jpg
IGBT Type
Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Power - Max
385 W
Switching Energy
2.11mJ (on), 1.18mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
157 nC
Td (on/off) @ 25°C
25ns/229ns
Test Condition
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
INFINFIRG7PH42U-EP,SP001541464,2156-IRG7PH42U-EP-IT,IRG7PH42UEP
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRG7PH42
Reverse Recovery Time (trr)
153 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR555
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF520N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB, N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD135N03LGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3, N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BSC039N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON, N-Channel 60 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRL2910STRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK, N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: ISC037N03L5ISATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON, N-Channel 30 V 20A (Ta), 78A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее