г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH42UD-EP Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH42UD-EP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 85A 320W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG7PH42UD-EP.jpg
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Power - Max
320 W
Switching Energy
2.11mJ (on), 1.18mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
157 nC
Td (on/off) @ 25°C
25ns/229ns
Test Condition
600V, 30A, 10Ohm, 15V
IGBT Type
Trench
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRG7PH42UDEP,2156-IRG7PH42UD-EP-IT,SP001533730,IFEINFIRG7PH42UD-EP
Standard Package
400
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr)
153 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PC50UD-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4PC50 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: AUIRF1404ZS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK, N-Channel 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFI530NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP, N-Channel 100 V 12A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: IRL2505L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 104A TO262, N-Channel 55 V 104A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IHW30N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 60 A 349 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRL2505S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK, N-Channel 55 V 104A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее