г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH42UD-EP Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH42UD-EP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 85A 320W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG7PH42UD-EP.jpg
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
85 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Power - Max
320 W
Switching Energy
2.11mJ (on), 1.18mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
157 nC
Td (on/off) @ 25°C
25ns/229ns
Test Condition
600V, 30A, 10Ohm, 15V
IGBT Type
Trench
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRG7PH42UDEP,2156-IRG7PH42UD-EP-IT,SP001533730,IFEINFIRG7PH42UD-EP
Standard Package
400
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr)
153 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R080P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3, N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: AIDK08S65C5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DISCRETE DIODES, Diode
Подробнее
Артикул: BSO613SPVGHUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO, P-Channel 60 V 3.44A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Подробнее
Артикул: IRFI4020H-117P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 9.1A 21W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
Подробнее
Артикул: BFR182E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFR182 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: IRGP4263DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 90A 325W TO-247, IGBT - 650 V 90 A 325 W Through Hole TO-247AC
Подробнее