г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB20B60PD1PBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB20B60PD1PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IRGB20B60 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Цена
208 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Vendor Undefined
REACH Status
REACH Unaffected
Other Names
2156-IRGB20B60PD1PBF-448
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFZ44ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF9410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 7A 8SO, N-Channel 30 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRFZ44ESTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BFR182E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFR182 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: IRGB4061DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 36A 206W TO220AB, IGBT Trench 600 V 36 A 206 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPN50R3K0CEATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223, N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Подробнее

Ваша заявка принята