г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB4607DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB4607DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 11A 58W TO220, IGBT - 600 V 11 A 58 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGB4607DPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.05V @ 15V, 4A
Power - Max
58 W
Switching Energy
140µJ (on), 62µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
9 nC
Td (on/off) @ 25°C
27ns/120ns
Test Condition
400V, 4A, 100Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-220AB
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001541648
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Reverse Recovery Time (trr)
48 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF540NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK, N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPW65R019C7FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3, N-Channel 650 V 75A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IAUT300N08S5N012ATMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF, N-Channel 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRF7240TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO, P-Channel 40 V 10.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAT68E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - Single 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее