г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB4610DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB4610DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 16A 77W TO220, IGBT - 600 V 16 A 77 W Through Hole TO-220AB
Цена
164 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGB4610DPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 6A
Power - Max
77 W
Switching Energy
56µJ (on), 122µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
13 nC
Td (on/off) @ 25°C
27ns/75ns
Test Condition
400V, 6A, 47Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-220AB
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IRGB4610DPBF-IT,INFIRFIRGB4610DPBF,SP001540640
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Reverse Recovery Time (trr)
74 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF5851TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: IRG4BC40FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 49A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 49 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IHW30N135R3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: REVERSE CONDUCTING IGBT, IGBT
Подробнее
Артикул: BSZ340N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON, N-Channel 80 V 6A (Ta), 23A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: BSM100GD120DLCBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 100A, IGBT Module NPT Single 1200 V 100 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF5210L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 40A TO262, P-Channel 100 V 40A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее