г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB4615DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB4615DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 23A 99W TO220, IGBT - 600 V 23 A 99 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGB4615DPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 8A
Power - Max
99 W
Switching Energy
70µJ (on), 145µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
19 nC
Td (on/off) @ 25°C
30ns/95ns
Test Condition
400V, 8A, 47Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-220AB
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001536280
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC0906NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSC0906 - 12V-300V N-CHANNEL POW,
Подробнее
Артикул: IPD060N03LGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3, N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: FF150R12YT3BOMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER EASY, IGBT Module
Подробнее
Артикул: BBY58-02W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BBY58-02W, Varactors
Подробнее
Артикул: IDD09SG60CXTMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO252-3, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 9A (DC) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPW60R040CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3, N-Channel 600 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее