г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB4715DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB4715DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 650V TO-220AB, IGBT - 650 V 21 A 100 W Through Hole TO-220AB
Цена
193 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGB4715DPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
21 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 8A
Power - Max
100 W
Switching Energy
200µJ (on), 90µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
30 nC
Td (on/off) @ 25°C
30ns/100ns
Test Condition
400V, 8A, 50Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-220AB
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001541638,2156-IRGB4715DPBF-IT,IFEINFIRGB4715DPBF
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Reverse Recovery Time (trr)
86 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF600R12KE4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 600A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: AUIRF2804L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO262, N-Channel 40 V 195A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRF3415S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK, N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRLU120NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: MMBTA06LT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANSISTOR NPN 80V 0.5A, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 100MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRGPS60B120KDP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 105A 595W SUPER247, IGBT NPT 1200 V 105 A 595 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее