г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP20B120UD-EP Infineon Technologies

Артикул
IRGP20B120UD-EP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 40A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 40 A 300 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGP20B120UD-EP.jpg
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.85V @ 15V, 40A
Power - Max
300 W
Switching Energy
850µJ (on), 425µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
169 nC
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
600V, 20A, 5Ohm, 15V
IGBT Type
NPT
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRGP20B120UD-EP,-IRGP20B120UD,SP001541806
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Reverse Recovery Time (trr)
300 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPA60R170CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 8A TO220, N-Channel 650 V 8A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRFSL7437PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO262, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BAR64-03W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAR64 - PIN DIODE, RF Diode
Подробнее
Артикул: IRG4PC30KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 28A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 28 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FF100R12RT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 555W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 100 A 555 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLR3103
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK, N-Channel 30 V 55A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее