г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP30B120KD-EP Infineon Technologies

Артикул
IRGP30B120KD-EP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 60A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 60 A 300 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGP30B120KD-EP.jpg
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4V @ 15V, 60A
Power - Max
300 W
Switching Energy
1.07mJ (on), 1.49mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
169 nC
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
600V, 25A, 5Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-247AD
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRGP30B120KD-EP,-IRGP30B120KD,63-6005PBF-ND,SP001532874,63-6005PBF
Standard Package
400
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Reverse Recovery Time (trr)
300 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL2203NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK, N-Channel 30 V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFU3910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK, N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IRAM136-1060BS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 5A MOTOR, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BCX41E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 125 V 800 mA 100MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFHS8342TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON, N-Channel 30 V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount PG-TSDSON-6
Подробнее
Артикул: IRLIZ34N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP, N-Channel 55 V 22A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее