г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP4069PBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP4069PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 76A 268W TO247AC, IGBT Trench 600 V 76 A 268 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGP4069PBF.jpg
IGBT Type
Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
76 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
105 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 35A
Power - Max
268 W
Switching Energy
390µJ (on), 632µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
104 nC
Td (on/off) @ 25°C
46ns/105ns
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-247AC
Package / Case
TO-247-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001542388
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Test Condition
400V, 35A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP110N20NAAKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3, N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: FD600R06ME3S2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 600V 600A 2250W, IGBT Module Trench Field Stop Single 600 V 600 A 2250 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRFB7437PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR198E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 190 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRLML6401TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23, P-Channel 12 V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IRLR3103TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK, N-Channel 30 V 55A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее