г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP4650DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP4650DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 76A 268W TO247AC, IGBT - 600 V 76 A 268 W Through Hole TO-247AC
Цена
601 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGP4650DPBF.jpg
Other Names
IFEINFIRGP4650DPBF,SP001535760,2156-IRGP4650DPBF
Test Condition
400V, 35A, 10Ohm, 15V
Power - Max
268 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
76 A
IGBT Type
-
Current - Collector Pulsed (Icm)
105 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 35A
Switching Energy
390µJ (on), 632µJ (off)
Gate Charge
104 nC
Td (on/off) @ 25°C
46ns/105ns
Base Product Number
IRGP4650
Mounting Type
Through Hole
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
400
Reverse Recovery Time (trr)
120 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF150P221AKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3, N-Channel 150 V 186A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BSC019N04LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON, N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IMBG120R045M1HXTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263, N-Channel 1200 V 47A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Подробнее
Артикул: IPA95R1K2P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 6A TO220, N-Channel 950 V 6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: SPA20N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-111, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее
Артикул: IRLML5103TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23, P-Channel 30 V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее