г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR183E6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR183E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFR183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Цена
12 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR183E6327.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Other Names
INFINFBFR183E6327,2156-BFR183E6327
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7240TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO, P-Channel 40 V 10.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF6648TR1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN, N-Channel 60 V 86A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Подробнее
Артикул: IRF6729MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET, N-Channel 30 V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Подробнее
Артикул: BSC350N20NSFDATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1, N-Channel 200 V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IPP034NE7N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3, N-Channel 75 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: FF1200R12KE3NOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 5000W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 5000 W Chassis Mount Module
Подробнее