г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BFR183E6327 Infineon Technologies

Артикул
BFR183E6327
Бренд
Infineon Technologies
Описание
BFR183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Цена
12 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - RF, Транзисторы - биполярные (BJT) - радиочастотные
Image
files/BFR183E6327.jpg
Series
*
Package
Bulk
Part Status
Active
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Other Names
INFINFBFR183E6327,2156-BFR183E6327
Standard Package
1

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPW16N50C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SPW16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE,
Подробнее
Артикул: IRLU3110ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: IPP032N06N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3, N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IKB15N60T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT
Подробнее
Артикул: IPD65R660CFDAATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPW60R031CFD7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3, N-Channel 650 V 63A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее