г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP4690DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP4690DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 140A TO247AC, IGBT - 600 V 140 A 454 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGP4690DPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
140 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Power - Max
454 W
Switching Energy
2.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
150 nC
Td (on/off) @ 25°C
50ns/200ns
Test Condition
400V, 75A, 10Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-247AC
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001534080
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Reverse Recovery Time (trr)
155 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR505E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPW60R075CPAFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AUTOMOTIVE,
Подробнее
Артикул: SPP80N06S209
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IPW60R190P6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: SPW35N60C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3, N-Channel 650 V 34.6A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BCR158
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее