г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGPS60B120KDP Infineon Technologies

Артикул
IRGPS60B120KDP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 105A 595W SUPER247, IGBT NPT 1200 V 105 A 595 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Цена
10 665 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGPS60B120KDP.jpg
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
105 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.75V @ 15V, 60A
Power - Max
595 W
Switching Energy
3.21mJ (on), 4.78mJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
340 nC
Td (on/off) @ 25°C
-
Test Condition
600V, 15A, 4.7Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
SUPER-247™ (TO-274AA)
Package / Case
TO-274AA
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRGPS60B120KDP,SP001540752
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Reverse Recovery Time (trr)
180 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPAW60R600P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 6A TO220, N-Channel 600 V 6A (Tc) 21W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: BBY57-02VH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: VARIABLE CAPACITANCE DIODE, Varactors
Подробнее
Артикул: BFP183
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFP183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: 2N7002DWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: FF200R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 320A 1100W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 320 A 1100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF7380TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее