г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL2703PBF Infineon Technologies

Артикул
IRL2703PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 24A TO220AB, N-Channel 30 V 24A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL2703PBF.jpg
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IRL2703PBF,*IRL2703PBF,IFEINFIRL2703PBF,SP001558664
Standard Package
1,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
45W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFB260NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB, N-Channel 200 V 56A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFR2905ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRFHS9351TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.4W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: BAS 16U E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, Diode Array 3 Independent Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount SC-74, SOT-457
Подробнее
Артикул: BAV99E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23, Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 80 V 200mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IHW30N110R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1100V 60A TO247-3, IGBT Trench 1100 V 60 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее