г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL3103PBF Infineon Technologies

Артикул
IRL3103PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB, N-Channel 30 V 64A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL3103PBF.jpg
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1650 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001571808,*IRL3103PBF
Standard Package
1,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
94W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPB20N60C3ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3, N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: DD1200S17H4_B2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DD1200S17 - RECTIFIER DIODE MODU, Diode
Подробнее
Артикул: BCW61CE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPG16N10S461ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Подробнее
Артикул: BSC010N04LSTATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 39A/100A TDSON, N-Channel 40 V 39A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: BSL308PEH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
Подробнее