г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL520NSPBF Infineon Technologies

Артикул
IRL520NSPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
174 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL520NSPBF.jpg
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRL520NSPBF,SP001568426
Standard Package
1,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 48W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FZ1800R12KL4C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE, IGBT Module
Подробнее
Артикул: AIKW30N60CTXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC DISCRETE 600V TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IAUC100N08S5N043ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34, N-Channel 80 V 100A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Подробнее
Артикул: SKW15N60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: BAR64-03W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BAR64 - PIN DIODE, RF Diode
Подробнее
Артикул: IRFP250MPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC, N-Channel 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее