г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL520NSPBF Infineon Technologies

Артикул
IRL520NSPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
174 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL520NSPBF.jpg
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRL520NSPBF,SP001568426
Standard Package
1,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 48W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PF50WDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 900V 51A 200W TO247AC, IGBT - 900 V 51 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFB4228PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB, N-Channel 150 V 83A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGPS40B120UDP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 595W SUPER247, IGBT NPT 1200 V 80 A 595 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IRAMS10UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: PLUG N DRIVE INTELLIGENT PWR MOD, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: IRAM136-1060A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOD PWR HYBRID 600V 10A MOTOR, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: SPA20N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-111, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее