г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLH5030TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLH5030TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN, N-Channel 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Цена
506 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLH5030TRPBF.jpg
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5185 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLH5030TRPBF-ND,IRLH5030TRPBFTR,IRLH5030TRPBFCT,IRLH5030TRPBFDKR,SP001558752
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRLH5030
Power Dissipation (Max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9953
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRAMY20UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 20A SIP3, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 20 A 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BSC018NE2LSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON, N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRFZ44E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB, N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKW20N60TFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 166 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFI4020H-117P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO-220FP, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 200V 9.1A 21W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
Подробнее