г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLI2910PBF Infineon Technologies

Артикул
IRLI2910PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FP, N-Channel 100 V 31A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Цена
436 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLI2910PBF.jpg
Supplier Device Package
TO-220AB Full-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLI2910PBF,SP001558218
Standard Package
2,000
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
63W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLIZ44N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 30A TO220FP, N-Channel 55 V 30A (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRFR13N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 14A DPAK, N-Channel 150 V 14A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IGW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: BSC0902NSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON, N-Channel 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRLML9301TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23, P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IPD110N12N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3, N-Channel 120 V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее