г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLL014NTR Infineon Technologies

Артикул
IRLL014NTR
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223, N-Channel 55 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Цена
134 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLL014NTR.jpg
Supplier Device Package
SOT-223
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 25 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001558818
Standard Package
2,500
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BC858C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 150MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: SPA15N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP, N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: AUIRG4PH50S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 57A TO247AC, IGBT - 1200 V 141 A 543 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRLZ44NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK, N-Channel 55 V 47A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG7PK35UD1-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1400V 40A 167W TO247AD, IGBT - 1400 V 40 A 167 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее