г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLML5103TR Infineon Technologies

Артикул
IRLML5103TR
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23, P-Channel 30 V 760mA (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLML5103TR.jpg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
Micro3™/SOT-23
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
75 pF @ 25 V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Mounting Type
Surface Mount
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
760mA (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRLML5103TR,SP001558836,IRLML5103,IRLML5103-ND,IRLML5103CT
Standard Package
3,000
FET Feature
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR108SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: BAT68E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - Single 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: BFR183E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BFR183 - LOW-NOISE SI TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: SPU11N10
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10.5A TO251-3, N-Channel 100 V 10.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole P-TO251-3-1
Подробнее
Артикул: BSM50GD120DN2BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 72A 350W, IGBT Module - Full Bridge 1200 V 72 A 350 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SPD03N60C3BTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK, N-Channel 650 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее